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基本资料：
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姓 名：王爽
性 别：男
民 族：汉
出生年月：1980年08月
学 历：理学博士
专 业：微电子与固体电子学
毕业院校：吉林大学电子科学与工程学院
电子信箱：k9999_1@126.com
联系电话：13335114907
教育背景：
2007年9月—2012年6月 理学博士
吉林大学集成光电子国家重点实验室，微电子与固体电子学专业。
2005年9月—2007年7月 理学硕士
吉林大学集成光电子国家重点实验室，微电子与固体电子学专业。
1999年9月—2003年7月 理学学士
吉林大学电子科学与工程学院，微电子学专业。
博士在学期间完成的与申请博士学位论文相关的科研成果
| 序号
| 署名排序
| 题名、刊物名称（获奖名称、专利号）、
卷期号、起讫页码、发表时间
| 1
| 1
| Measurement of the linear electro-optic tensor of cubic boron nitride single crystals, Chinese Optics letters, 10(4): 041602-1~041602-5, 2012.
| 2
| 1
| 立方氮化硼晶体电光张量的测量，中国物理学会，第十八届全国半导体物理学术会议论文摘要集(P-40,P152). 呼和浩特：内蒙古大学，2011年8月20-23日.
| 3
| 1
| 一种在直流电场作用下测量立方氮化硼二阶非线性极化率的方法，中国物理学会，第十七届全国半导体物理学术会议论文摘要集(专题II,P75). 长春：吉林大学，2009 年8月16-20日.
| 4
| 1
| 比较法测量立方氮化硼二阶非线性极化率，中国物理学会，第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集（D-27,P91）.兰州：兰州大学，2007年9月7-13日.
| 5
| 2
| Plasmas Excited by Extremely Non-uniform Electric Field Using Cubic Boron Nitride SingleCrystalsin the Atmosphere,The 32nd PIERS inMoscow,Russia, 19-23 August, 2012.Accepted: Key: 120319040433
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| 6
| 2
| Vacuum Ultraviolet Emission from Cubic Boron Nitride SingleCrystalsin Extremely Non-uniform Electric Field,The 32nd PIERS inMoscow,Russia, 19-23 August, 2012.Accepted: Key: 120319043024.
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王爽博士学习期间参与的科研项目：
1.the National Natural Science Foundation of China (Nos. 60976037 and 61077026),
2.the Joint Research Project of NSFC-RFBR(No. 61111120097),
3.the National High-Technology Research and Development Program of China (No.
2009AA03Z419)
主修课程：
半导体激光器、半导体光电子学、有机发光材料与器件、光波导理论、
集成光学元件与系统、光学半导体器件CAD、薄膜生长技术、
半导体工艺实验、半导体材料测试实验、半导体材料、微电子工艺技术、
结晶学、固体物理、电磁学、数字电子技术、模拟电子技术、
模拟集成电路分析与设计、数字集成电路分析与设计、电路分析基础、
超大规模集成电路、CMOS模拟集成电路、半导体集成电路CAD、
C语言程序设计、半导体物理、半导体物理与器件、微计算机原理、
群论与固体能带理论、计算机网络技术、红外技术应用等。
参与项目研究与相关学习内容：
博士阶段：
一．cBN非线性光学性质的研究工作
（立方氮化硼二阶非线性光学性质的研究，国家自然科学基金项目）
1.利用横向电光调制系统测量cBN的线性电光张量
2.利用横向电光调制系统测量cBN的三阶非线性极化率
3.利用电调制cBN的倍频效应测量cBN的二阶非线性极化率
4.利用cBN光整流效应测量cBN的二阶非线性极化率
二.cBN电致发光的研究
（电抽运立方氮化硼晶体激射蓝紫光的研究，国家自然科学基金项目）
1.cBN非线性电学性质的研究
2.cBN电致发光的研究
硕士阶段：
利用比较法测量cBN晶体的二阶非线性极化率
（立方氮化硼二阶非线性光学性质研究，国家自然科学基金项目）。
本科学习阶段：
双光子响应硅光电探测器研究与应用。
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